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专利名称：闪存及其制造方法专利类型：发明专利发明人：金钟一,黄忠镐申请号：CN021600.3申请日：20021231公开号：CN1453872A公开日：20031105
摘要：本发明提供一种闪存及其制造方法。本发明之闪存之制造方法包含下列之步骤：在一硅基板上形成一浮栅氧化膜；在浮栅氧化膜上形成一浮栅，在浮栅上形成一控制栅氧化膜，在控制栅氧化膜上形成包含倾斜侧面之一控制栅；而且本发明之闪存包含：一形成在一硅基板上之浮栅氧化膜，一形成在浮栅氧化膜上之浮栅，一形成在浮栅上之控制栅氧化膜，以及一形成在控制栅膜上并包括倾斜侧面之控制栅。
申请人：海力士半导体有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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