去除栅极边墙下残留多晶硅的干法刻蚀方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201110400967.5 （22）申请日 2011.12.06

（71）申请人 上海华虹NEC电子有限公司

地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

（10）申请公布号 CN103151256A

（43）申请公布日 2013.06.12

（72）发明人 吴智勇;刘鹏

（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司

代理人 刘昌荣

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

去除栅极边墙下残留多晶硅的干法刻蚀方法

（57）摘要

本发明公开了一种去除栅极边墙下残留多

晶硅的干法刻蚀方法，该方法在常规的多晶硅引线干法刻蚀工艺流程的末尾，增加一步多晶硅的各向同性过刻蚀，将栅极边墙下的凹口内残留的多晶硅刻蚀掉。本发明通过在多晶硅引线回路刻蚀工艺中加入一步对氧化膜选择比较高、多晶硅刻蚀速率很高的各向同性刻蚀工艺步骤，彻底清除了栅极边墙下凹口内的多晶硅残留，从而提高了器件的电学性能和产能。

法律状态

法律状态公告日

2013-06-12 2013-07-17 2014-02-05 2015-08-19

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权

法律状态信息

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权利要求说明书

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说明书

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