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专利名称：成膜方法专利类型：发明专利发明人：饭岛俊章,川原润申请号：CN201910782306.X申请日：20190823公开号：CN110872699A公开日：20200310
摘要：成膜方法的实例包括将基板放在布置在腔室中的基座上，和将含氢气体和氮气引入所述腔室中，以及将射频功率施加至所述基座上方的电极以产生等离子体和在所述基板上形成氮化物膜，其中所述含氢气体的流速等于所述氮气的流速的1％或更小。
申请人：ASM IP私人控股有限公司
地址：荷兰阿尔梅勒
国籍：NL
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：兰恭滨
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