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专利名称：坩埚熔体中制备单晶体的方法及装置专利类型：发明专利发明人：刘俊成
申请号：CN200810238303.1申请日：20081207公开号：CN101440525A公开日：20090527
摘要：本发明提供一种坩埚熔体中制备单晶体的方法，其特征是环绕坩埚的条带状电加热器以一定的速率沿着坩埚的轴向扫过坩埚，坩埚中的原料锭顺次熔融、结晶，同时坩埚不断加速、减速转动，坩埚转速可按照梯形波、三角波或正弦波变化。所用装置包括晶体生长炉及其升降系统、坩埚加速旋转系统，晶体生长炉中，凸陶瓷壳体、凹陶瓷壳体上下对接在一起置于金属炉壳的，保温塞安装在凸陶瓷壳体的上方，三者形成炉膛；环绕炉膛内壁由上而下依次布有带有热电偶的辅助电加热器、带状电加热器、辅助电加热器，所有电加热器外接温度控制器；由晶体生长炉升降系统控制实现坩埚的升或降，由坩埚加速旋转系统控制坩埚的各种旋转。
申请人：山东理工大学
地址：255086 山东省淄博市高新技术产业开发区高创园D座1012室
国籍：CN
代理机构：淄博科信专利商标代理有限公司
代理人：吴红
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