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专利名称：半导体测试治具及其形成方法专利类型：发明专利发明人：石磊
申请号：CN201410607155.1申请日：20141030公开号：CN104360112A公开日：20150218
摘要：一种半导体测试治具及其形成方法，其中半导体测试治具，包括：基底；位于基底上的至少一排测试针头，每一排中的相邻测试针头相互错位排布，每个测试针头包括：第一测试针，所述第一测试针包括第一本体、位于第一本体一端的第一测试端以及位于第一本体另一端的第一连接端；覆盖所述第一测试针的第一本体表面的绝缘层；位于绝缘层表面环绕所述第一测试针的第二测试针，第二测试针与第一测试针同轴，第二测试针包括第二本体、位于第二本体一端的第二测试端以及位于第二本体另一端的第二连接端，所述第二测试端表面与第一测试端表面齐平。测试针头错位排布，减小了相邻测试针头之间的距离，实现对小间距的被测试端子的电学性能测试。
申请人：南通富士通微电子股份有限公司
地址：226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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