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专利名称：制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置专利类型：实用新型专利发明人：张建成,吴汶海申请号：CN200520043839.X申请日：20050728公开号：CN2871563Y公开日：20070221
摘要：本实用新型涉及一种制备铅的硫族化合物半导体单晶的装置，属半导体单晶制备工艺技术领域。本实用新型装置主要包括有外石英管2、内石英管4、立式加热炉10、滑轮11和马达12。外石英管2与底部敞开的内石英管4间焊有接合缝5，以固定内石英管4；外石英管2与底部为盛放原料的熔化反应区(7)；内石英管4的上部设有一收缩的狭细的管颈口1，该管颈口1上可放置一便能定向生长单晶的籽晶体；内石英管4的上部为一单晶生长形成区6；整个石英管总体放置于一四周设有加热元件的立式加热炉10内，立式加热炉上下部各设为低温区8和高温区9；外石英管2上部的收缩狭细管颈部连接有可使石英管总体提升移动的滑轮11及传动马达12。本装置可制备获得较大的铅的硫族化合物半导体单晶。
申请人：上海大学
地址：200444 上海市宝山区上大路99号
国籍：CN
代理机构：上海上大专利事务所
代理人：顾勇华
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