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专利名称：一种硼酸钡钇、硼酸钡钇晶体的制备方法及用途专利类型：发明专利
发明人：陈小龙,何明,孙玉平,王皖燕申请号：CN200710063683.5申请日：20070207公开号：CN101054724A公开日：20071017
摘要：本发明公开了一种硼酸钡钇晶体的制备方法及用途，与已有技术相比，本发明提供的单晶体硼酸钡钇具有发光强度及发光效率高、反应灵敏等特性；并且，本发明方法在空气气氛中1019℃左右的温度条件下即可得到硼酸钡钇单晶体，实验条件温和，反应时间短，而且本生长方法得到晶体质量好、原料成本低廉、设备简单、易于推广，硼酸钡钇晶体用于X－射线探测具有高效、快速等特性。
申请人：中国科学院物理研究所
地址：100080 北京市海淀区中关村南三街8号
国籍：CN
代理机构：北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人：尹振启
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