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专利名称：一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应
用
专利类型：发明专利
发明人：杨恒,成海涛,戴斌,吴燕红,李昕欣,王跃林申请号：CN200910052205.3申请日：20090527公开号：CN101567394A公开日：20091028
摘要：本发明涉及一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，沟道是垂直的；沟道与环绕栅形成一个Pn结；源、漏区通过压焊块或金属引线与外电路实现电学连接。所述的场效应晶体管与敏感结构制作在SOI硅片的顶层硅上，采用微机械加工方法同时制成。通过电容耦合实现对敏感结构的位移检测。
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：200050 上海宁区长宁路865号
国籍：CN
代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人：潘振甦
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