降低高密度等离子体磷硅玻璃颗粒的方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201310565732.0 （22）申请日 2013.11.13

（71）申请人 上海华力微电子有限公司

地址 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号

（10）申请公布号 CN103560080A

（43）申请公布日 2014.02.05

（72）发明人 侯多源;顾梅梅;陈建维;张旭升

（74）专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 陆花

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

降低高密度等离子体磷硅玻璃颗粒的方法

（57）摘要

一种降低高密度等离子体磷硅玻璃颗粒的

方法，包括：执行步骤S1：提供具有半导体器件之硅基衬底，并进行富硅氧化物薄膜淀积；执行步骤S2：进行未掺杂硅玻璃薄膜淀积；执行步骤S3：进行磷硅玻璃薄膜淀积，在所述磷硅玻璃薄膜淀积时，所述磷烷（PH

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态

法律状态公告日

2014-02-05 2014-03-12 2016-12-21

公开

法律状态信息

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

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实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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