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专利名称：CMP用研磨液以及研磨方法专利类型：发明专利
发明人：筱田隆,田中孝明,金丸真美子,天野仓仁申请号：CN200980113203.9申请日：20090416公开号：CN102007577A公开日：20110406
摘要：本发明提供一种分散稳定性良好、层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明涉及一种CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质和分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子，假设所述研磨液在被调合成能在CMP研磨工序中使用的状态时，优选所述CMP用研磨液包含2.0～8.0质量％的所述胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R)为35～55nm；(2)与在前述(1)中求得的R相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S)，通过BET法测定的前述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S)，用(S)去除(S)所得到的值为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的前述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在前述(1)中求得的R的比Rs/R为1.30以下。
申请人：日立化成工业株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京银龙知识产权代理有限公司
代理人：钟晶
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