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专利名称：制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工
艺
专利类型：发明专利
发明人：陈骁,罗乐,汤佳杰,徐高卫申请号：CN201210006254.5申请日：20120110公开号：CN103199054A公开日：20130710
摘要：本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au-Au键合。待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。该方法操作简便，成本低，具有较高的可靠性和实用性。
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：200050 上海宁区长宁路865号
国籍：CN
代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人：潘振甦
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