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专利名称：半导体改性的TiO纳米管阵列复合材料及其制备方
法
专利类型：发明专利发明人：顾艳红,郑新华,罗彦申请号：CN201810821799.9申请日：20180724公开号：CN109055919A公开日：20181221
摘要：本发明涉及一种半导体改性的TiO纳米管阵列复合材料及其制备方法，其中，方法包括如下步骤：步骤一、采用阳极氧化法制备TiO纳米管阵列；步骤二、将镉源、铅源和硫源分别溶于醇类溶剂中得到镉源前驱体溶液、铅源前驱体溶液和硫源前驱体溶液；步骤三、利用超声辅助进行连续离子层沉降在TiO纳米管阵列的内壁和外壁同时形成均匀的CdS颗粒和PbS颗粒，再经热处理后得到半导体改性的TiO纳米管阵列复合材料。本发明制得的CdS/PbS/TiO纳米管阵列复合材料中在纳米管的内外壁上能够形成大面积均匀的CdS和PbS颗粒，大大增强了该复合材料对太阳光的利用率。同时方法简单、过程易于操控且材料复合均匀。
申请人：北京石油化工学院
地址：102617 北京市大兴区黄村清源北路19号
国籍：CN
代理机构：北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：齐胜杰
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