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专利名称：磁控溅射阴极系统专利类型：发明专利
发明人：王三军,刘圣烈,黄维邦,余晓军申请号：CN201780092148.4申请日：20171226公开号：CN1107703A公开日：20200207
摘要：一种磁控溅射阴极系统(10)，磁控溅射阴极系统(10)包括靶材(12)和设置在靶材(12)一侧的多个电磁系统单元(14)。每个电磁系统单元(14)工作并能够产生不同的磁力效应，电磁系统单元(14)的磁场线穿过靶材(12)的溅射面(122)。
申请人：深圳市柔宇科技有限公司
地址：518172 广东省深圳市龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇43栋
国籍：CN
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