・ １０８・ 材料导报Ａ：综述篇 ２０１３年８月（上）第２７卷第８期 基于专利分析的石墨烯技术创新趋势研究 沙建超，赵蕴华，罗 勇，郑佳 （中国科学技术信息研究所，北京１０００３８） 摘要 石墨烯作为一种新型纳米材料已成为物理学、材料科学和化学领域的研究热点，相关专利的申请数量 增长迅速。通过对德温特专利数据库收录的石墨烯相关发明专利数据进行深度标引，分析了全球石墨烯相关技术的 研发热点及发展态势，为我国石墨烯相关领域的技术创新和决策提供了参考。 关键词 石墨烯研发热点发展趋势专利分析 文献标识码：Ａ 中图分类号：ＴＢ３２１；Ｇ３５３．１ Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｔｈｅ Ｔｒｅｎｄｓ ｏｆ Ｇｌｏｂａｌ Ｇｒａｐｈｅｎｅ Ｔｅｃｈ—ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ Ｂａｓｅｄ ｏｎ Ｐａｔｅｎｔ Ａｎａｌｙｓｉｓ ＳＨＡ Ｊｉａｎｃｈａｏ，ＺＨＡＯ Ｙｕｎｈｕａ，ＬＵＯ Ｙｏｎｇ，ＺＨＥＮＧ Ｊｉａ （Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｈｉｎａ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００３８） Ａｂｓｔｒａｃｔ Ａｓ ａ ｐｒｏｍｉｓｉｎｇ ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ ｏｆ ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌ，ｇｒａｐｈｅｎｅ ｈａｓ ｂｅｅｎ ａ Ｒ＆Ｄ ｈｏｔｓｐｏｔ ｉｎ ｔｈｅ ｆｉｅｌｄ ｏｆ ｐｈｙｓｉｃｓ，ｍａｔｅｒｉａｌ ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．Ｉｔｓ ｇｌｏｂａｌ ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｉｎｃｒｅａｓｅｄ ｆａｓｔ ｉｎ ｒｅｃｅｎｔ ｙｅａｒｓ．Ｂａｓｅｄ ｏｎ ｐａｔｅｎｔｓ ｄａｔａ ｃｏｌｌｅｃｔｅｄ ｂｙ Ｄｅｒｗｅｎｔ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ Ｉｎｄｅｘ ｄａｔａｂａｓｅ，ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ ｆｉｇｕｒｅｓ ｏｕｔ ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｓｔａｔｕｓ ａｎｄ ｔｒｅｎｄｓ ｏｆ ｇｒａ— ｐｈｅｎｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｄｅｅｐｌｙ ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ ｐａｔｅｎｔ ｄａｔａ，ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔ ｗｉｌｌ ｐｒｏｖｉｄｅ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｆｏｒ ｔｈｅ ｔｅｃｈ— ｎｏｌｏｇｙ ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ ａｎｄ ｓｔｒａｔｅｇｉｃ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅ ｇｒａｐｈｅｎｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｉｎ Ｃｈｉｎａ． Ｋｅｙ ｗ０ｒｄｓ ｇｒａｐｈｅｎｅ，ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔａｌ ｆｏｃｕｓ，ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｔｒｅｎｄ，ｐａｔｅｎｔ ａｎａｌｙｓｉｓ ０ 引言 石墨烯（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）是由碳六元环组成的二维周期蜂窝 状点阵结构［１］，这个曾被认为不能稳定存在的二维晶体，在 ２００４年由英国曼彻斯特大学两位科学家成功分离，并迅速成 为物理学、材料科学和化学领域的研究热点之一［２ ］。研究 特信息源，能反映最新的科技发明、创造和设计，其所包含的 科技信息中有８Ｏ 未被其他媒体公开［１１］，是重要的科技情 报信息源。通过对专利文献的深入分析，可以对特定技术领 域发展做出趋势预测、对竞争对手做跟踪研究等，从而产生 指导国家、行业、企业生产、经营决策的重要情报［１２１。本文将 通过分析全球石墨烯相关专利申请，揭示最新石墨烯相关技 术创新现状与发展趋势，从而为我国、科研机构与企业 发现，石墨烯是世界上现存厚度最薄、强度最大、硬度最高的 材料，而且具有非常好的导热和导电性能 ］，在电子、信息、 新能源和生物等领域发展潜力巨大 ］。由于其优异的性 能，石墨烯的产业化也成为全球主要国家竞争的重点领域， 制定科技发展计划、开展相关技术研发等提供决策支持与事 实依据。 美、欧盟、日、韩等国家或地区纷纷制定了促进石墨烯产业化 应用的研发计划ｌ７］。 我国在石墨烯技术领域起步较晚，但发展很快，在论文 发表和专利申请方面均有突出表现［８ ］。当前，石墨烯已被 １ 数据来源与分析方法 本文数据来源于美国科学情报研究所（ＩＳＩ）出版的“Ｄｅｒ— ｗｅｎｔ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ Ｉｎｄｅｘ”（ＤＩＩ）数据库，用主题检索方法，并保 存跟踪，２０１３年３月，共获得石墨烯技术相关专利家族２５４８ 列为我国现行产业调整指导目录的鼓励类产品，属战略性新 兴产业一新能源汽车的关键材料，同时也是《国家知识产 权战略纲要》中要求超前部署的新材料。虽然石墨烯的应用 潜力巨大，但石墨烯要想取代已有材料还有很多的技术难题 件，对专利家族数据进行拆分标引，采用ＴＤＡ、ＥＸＣＥＩ 等分 析工具对专利标题、摘要、国家、申请人、申请日、专利分类号 等必要字段进行深度加工与统计分析。由于专利申请到专 利公开有一定的延迟，所以２０１１年之后的数据仅供参考。 需要解决，未来一段时间如何综合有效信息做好石墨烯的发 展规划，将对推动我国石墨烯技术取得竞争优势起到非常重 要的作用ｌＬ１ 。 ２石墨烯技术相关专利申请趋势分析 ２．１ 专利家族申请量与专利申请量逐年变化情况 专利家族是申请人针对同一个发明创造在不同国家或 专利信息与情报是集技术、商业和法律信息于一体的独 ＊公益性科研院所基本科研业务费专项资金（ＺＤ２０１２—４—２） 沙建超：１９８７年生，硕士生，研究方向为科技与科技情报员，研究方向为信息咨询与信息资源 Ｅ－ｍａｉｌ：ｓｈａｉｃ２０１１＠ｉｓｔｉｃ．ａｃ．ＣＵ赵蕴华：女，１９６７年生，哥ｌ研究馆 基于专利分析的石墨烯技术创新趋势研究／沙建超等 国际专利组织多次申请、多次公布或批准的内容相同或基本 相同的一组专利文献口 ，专利家族数量可以反映技术创新的 活跃度，专利申请是指专利家族中的每一件申请，可以反映 技术领域的竞争态势ｎ 。由图１专利家族和专利申请量逐 年变化曲线可知，全球石墨烯相关专利家族申请在２００６年 以后出现迅速增长，当前，年申请量已经接近千件，反映出石 墨烯技术创新正处于一个比较活跃的阶段。从专利申请量 看，专利家族数量与专利申请量之间差距不大，说明多数申 请人更注重技术创新，并没有对已有的发明创造进行广泛布 局，这也是由于石墨烯技术刚刚兴起，正处于研发期，并没 有强烈的市场竞争。“石墨烯研究取得新进展”在２００９年 被Ｓｃｉｅｎｃｅ列为全球１Ｏ大科技进展之一ｌ】 ，首次成功分离 石墨烯的科学家在２０１０年获得诺贝尔物理学奖，使石墨烯 迅速成为全球关注的焦点，全球主要国家也纷纷投入大量 研发力量，如欧盟“未来新兴旗舰技术项目”＿】 。因此，尽管 ２０１１年数据并没有全部公开，但从发展趋势可以看出，未来 一段时间石墨烯相关技术的创新发明会继续保持较高的增 长水平。 芒 啦８ Ｏ∞∞加∞∞∞∞加 Ｏ ０ 馋 ‘岳 ｌ９９９ ２００１ ２００３ ２００５ ２００７ ２００９ ２０１ １ 优先权年 图ｌ专利家族和专利申请量逐年变化情况 Ｆｉｇ．．１ Ａｎｎｕａｌ ｑｕａｎｔｉｔｙ ｃｈａｎｇｅｓ ｏｆ ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌｉｃａｎｔ ２．２主要国家申请和受理情况分析 图２是全球专利申请量超过１００件的国家的专利申请 和受理情况，由于ＷＩＰＯ（世界知识产权组织）和欧盟知识产 权组织是各国进行国际申请的重要途径，所以也对其进行统 计。从专利家族数量看，中国是受理专利家族申请最多的国 家，进一步分析发现中国受理的申请主要为本国申请，说明 中国在石墨烯技术领域研发比较活跃，美国和韩国也是该领 域研发比较活跃的地区。从各国专利申请量看，美国申请量 最高达１４２１件，说明美国申请人在石墨烯技术布局中更倾 向于对同一个技术发明申请多件专利保护，其国外申请主要 集中在世界知识产权组织、欧盟和中国，中国是唯一申请量 低于受理量的国家，说明中国专利家族中的专利申请较少， 不同的专利申请更倾向于保护不同的技术，韩国和日本的国 外申请量较高，主要集中在美国。世界知识产权组织是各国 进行国际申请的重要途径，从其受理申请达６５１件看，各国 已经展开了一定的国际竞争，未来一段时间国际竞争会变得 更加激烈。各国专利申请在不同国家的分布见表１（单位： 件），美国是技术竞争最为激烈的地区，尤其是韩国和日本都 在美国进行了大量的专利申请，同时美国也是对外进行技术 布局最多的国家，所以美国的发展值得关注，中国申请人的 国外申请相对较少。 ・ １０９ ・ 表１主要国家专利申请国或地区分布情况 Ｔａｂｌｅ １ Ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌ㈣伽瑚咖啪㈣枷瑚。 ｉｃａｔｉｏｎ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｔｏｐ ｃｏｕｎｔｒｉｅｓ 芒 咖｛ 糕 ０ Ｏ ０ ０ Ｏ 美国中国韩国ＷＩＰＯ日本欧盟德国英国 图２主要国家专利申请和受理情况 Ｆｉｇ．２ Ｃｏｕｎｔｒｉｓｅ ｏｒ ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎｓ ｔｈａｔ ｒｅｃｅｉｖｉｎｇ ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ａｎｄ ｔｈｅ ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｑｕａｎｔｉｔｙ ２．３各主要国家逐年申请情况 从主要国家逐年申请情况（图３）可知，美国和日本是在 石墨烯技术领域进行技术布局最早的国家，从２００４年石墨 烯被首次成功分离以后，美国石墨烯相关专利的申请就出现 了明显增长，中国和韩国对该领域的专利申请起步较晚，但 是，目前中国对石墨烯技术领域的研发表现出极高的活跃 度，为该领域年专利申请量最高的国家，韩国也已经超过美 国排在第二位，预计未来一段时间石墨烯技术领域的专利申 请将主要集中在中国、韩国和美国。 ６００ ５００ 删４００ ｔ￣３００ ．旺２００ １００ ０ １９９９ ２００１ ２００３ ２００５ ２００７ ２００９ ２０１ １ 优先权年 图３各主要国家逐年申请情况 Ｆｉｇ．３ Ａｎｎｕａｌ ｑｕａｎｔｉｔｙ ｃｈａｎｇｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｔｏｐ ｃｏｕｎｔｒｉｅｓ ｏｒ ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎｓ ２．４全球申请人和发明人数量逐年变化情况 专利权人数量变化可以反映市场竞争的发展变化，从图 ４可以看出，全球涉足石墨烯技术领域的专利申请人在２００７ 年以后出现明显增长，但是目前增长并不明显，说明该领域 技术还处于研发阶段，近几年内申请人数量并不会出现大的 ０ ・ １１０ ・ 材料导报Ａ：综述篇 会进一步增加。 ２０１３年８月（上）第２７卷第８期 波动。发明人方面，发明人数量变化是反映研发投人情况的 重要指标，从数量变化来看，发明人数量增长迅速，表明全球 表２ ＩＰＣ技术分类排名前１０ Ｔａｂｌｅ ２ Ｔｏｐ １０ ｐａｔｅｎｔ ＩＰＣ ｓｕｂｃｌａｓｓｅｓ 在该技术领域的投入正迅速增长，这也正是全球申请量迅速 增长的原因。由于研发资源正大量流人，预计未来一段时间 石墨烯技术领域会有更多突破，产业化应用也会有较快的发 展。另外，石墨烯技术领域进行研发的申请人正在加大研发 投入力度，预计未来少数申请人会掌握更多的核心技术。 皿删２ １ ＜ １９９９ ２００１ ２００３ ２００５ ２００７ ２００９ ２０ｌ １ 优先权年 图４全球申请人和发明人逐年变化情况 Ｆｉｇ，．４ Ａｎｎｕａｌ ｑｕａｎｔｉｔｙ ｃｈａｎｇｅｓ ｏｆ ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌｉｃａｎｔ ａｎｄ ｉｎｖｅｎｔｏｒｓ ｒｅｌ￣ｅｄｔｏ ｇｒａｐｈｅｎｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ２．５专利申请相关技术领域分析 ＩＰＣ国际专利分类体系是世界通用的分类方法，它按照 专利文献的技术主题对专利进行分类，其中ＩＰＣ小类是对专 利相关技术领域的细分，通过ＩＰＣ小类可以深入了解相关专 利的技术信息＿】 。由表２可知，石墨烯的研究主要集中在石 墨烯的制备；石墨烯在半导体、电池电极及其他电子器件制 造中的应用；石墨烯基纳米材料及其复合材料的制备和应 用。在石墨烯制备方法方面，尤以化学气相沉积方法相关专 利的申请最多，此种制备方法是近年来发展起来的制备石墨 烯薄膜的新方法［１ ，具有产量高，生长面积大等优点。当前， 批量化地制备结构、厚度和尺寸可控的高质量石墨烯仍然是 石墨烯研发的主要方向之一＿ｌ 。在应用方面，石墨烯的研发 主要集中在Ｈ０１Ｌ（半导体器件；电固体器件）、ＨＯ１Ｍ（碳电 极）、ＨＯＩＢ（主要由碳硅化合物、碳或硅组成的导电材料）３个 技术方向，石墨烯具有特殊的电学、光学和力学性能，在微电 芒 删 辍 幕 子领域被认为具有广阔的发展潜力，目前全球主要微电子企 业如三星、ＩＢＭ和英特尔等都在该领域进行了大量专利申 请［２ 。另外，也有较多申请与Ｂ８２Ｙ（纳米结构的分析、处理） 和Ｂ８２Ｂ（通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量 ｌ９９９ ２００ｌ ２００３ ２００５ ２００７ ２００９ ２０¨ 优先年 原子或分子的集合而形成的纳米结构）相关，这两个方向主 要是微纳处理技术。 图５专利申请所在ＩＰＣ小类前１０的逐年变化情况 Ｆｉｇ．５ Ａｎｎｕａｌ ｃｈａｎｇｅｓ ｏｆ ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ２．６全球专利申请所在ＩＰＣ小类的逐年变化情况 从专利申请所在ＩＰＣ小类排名前１Ｏ的逐年变化情况 （图５）可以看出，早期石墨烯相关专利申请主要集中在石墨 烯制备技术，当前全球石墨烯技术研发正逐渐从相关制备技 术向电子器件制造应用方向转变。尽管，石墨烯制备技术相 ｑｕａｎｔｉｔｙ（ＩＰＣ ｓｕｂｃｌａｓｓ） ２．７主要国家专利申请相关技术领域比较分析 从各国专利的技术领域分布（表３，单位：件）看，美国是 石墨烯技术研发领域发展最全面的国家，与其他国家相比， 其各技术领域的专利申请量都表现出较高水平，当前美国的 石墨烯技术研发主要集中在ＨＯＩＬ（半导体器件；电固体器 件），另外韩国在该技术领域也有较强的表现。中国专利申 关专利申请量最多，但其增长速度正在放缓，相反Ｈ０１Ｌ（半 导体器件；电固体器件）和Ｂ８２Ｙ（纳米结构的特定用途或应 用；纳米结构的测量或分析；纳米结构的制造或处理）等技术 方向的研发正变得更加活跃。预计未来一段时间，石墨烯制 备技术相关专利申请会进一步减少，石墨烯应用方面的研发 请相关的技术主要是石墨烯制备，在Ｈ０１Ｍ（石墨烯电极）领 域表现突出，在Ｈ０１Ｌ技术领域与美国和韩国差距较大，日 本在各领域的专利申请与中国的相似。 基于专利分析的石墨烯技术创新趋势研究／沙建超等 ・ １１ｌ ・ 表３各主要国家专利申请在ＩＰＣ技术分类排名前１０的分布 Ｔａｂｌｅ ３ Ｐａｔｅｎｔ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｄｉｓｔｒｉｈｕｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｔｏｐ ｃｏｕｎｔｒｉｅｓ ｉｎ ｔｏｐ １０ ＩＰＣ ｓｕｂｃｌａｓｓｅｓ 美国 ９３ ４８ ５８ ５３ 中国 ６５ ２８ ４８ ６１ 韩国 ７ ７ ８ ２ 粼 ∞ 匏 ４９ １２４ ７４ ４７ 日本 ６５ ３７ ３９ ４３ 德国 ２３ ３ １５ １１ 英国 ８ ４ ４ ３ ｍ ， ２ ２ ３ ６ 法国 ６ ６ ８ ２ ２．８全球申请人获得授权专利量排名前１Ｏ 盯 ４ 可以发现，全球石墨烯技术相关研发工作正处于快速发展 在全球石墨烯技术专利申请人获得授权专利量排名前 期，研发投入和专利申请数量增长迅速，我国在该领域的申 １０中（表４，单位：件），有６个为亚洲申请人，排在第一位的 请量全球第一，且遥遥领先于其他国家，但我国申请人的国 是日本科立思（ＤＳＩ），获得的授权申请为３２件，印 加８ 该公司设有 外专利申请较少；石墨烯技术研发主要集中在石墨烯制备和 纳米技术事业部，该部门主要业务就是纳米碳的研究，其前 电子固体器件的制造，中国在石墨烯制备技术和石墨烯电极 期在碳纳米管先端应用方面进行了大量的研发，目前在石墨 制造方面研发活跃，但是在石墨烯半导体和其他固体器件等 烯电池电极和复合材料方面比较活跃。韩国科技研究院和 融 ４ 方面的应用研发相对较少。 韩国三星集团研发比较活跃，韩国三星是该领域专利申请最 石墨烯是一种具有广阔市场前景的材料，目前正处于快 多的企业，２０１３年初，三星与成均馆大学合作开发出价格更 ∞ ２ 速发展阶段。在专利对比分析中，我国在该技术领域的相关 低的石墨烯薄膜显示屏，之前还成功制得柔性透明触摸屏， 研发中展现出了一定的优势，同时也有一些需要注意的地 韩国科技研究院是韩国纳米技术领先的研究机构，而且三星 方，对此提出以下几点建议： 和韩国科技研究院都在碳纳米管技术领域表现突出。美国 （１）继续加大鼓励创新力度。随着研发的深入和市场竞 申请人中ＩＢＭ申请量全球排名第二，ＩＢＭ是美国申请量最 争的加剧，我国未来要想维持高速增长，需要加大鼓励创新， 高的企业，ＩＢＭ以技术创新为主导，在石墨烯薄膜晶体管、芯 在重点领域投入更多的研发资源。 片开发、电池电极等方面都有广泛的研究。我国获得授权量 （２）保持现有技术领域的研发优势，拓展石墨烯相关技 较高的主要为高校，北京大学、天津大学和上海交通大学进 术的研发范围。当前，全球申请趋势已经向石墨烯相关电子 入前１０名，其中天津大学和上海交通大学的专利申请主要 固体器件的开发倾斜，因此，我国研发活动要加强产品开发 集中在石墨烯制备，北京大学申请的专利主要集中在电子固 方面的工作。 体器件的开发方面。 （３）鼓励企业加大研发投人力度，发挥企业在技术创新 表４全球授权专利申请人排名前１Ｏ 中的积极作用。本研究在对全球申请人排名和各国主要权 Ｔａｂｌｅ ４ Ｇｌｏｂａｌ ｔｏｐ １０ ｐａｔｅｎｔ ａｓｓｉｇｎｅｅｓ 人分析中发现，中国表现突出的申请人主要为高校。而技术 拼 ＃ＮＯＯＮ）． 国家 要想转化成产品就必须经过企业，所以我国应鼓励企业与高 校或科研机构的合作，积极推进产学研相结合，加快我国石 墨烯技术的产业化进程。 总之，石墨烯是一种国际广泛认可的重要材料，在过去 几年中我国已经在该领域取得了一定的成果，未来要继续加 大投入力度，扩展研发范围，力争在这个新材料所带来的全 球市场中取得竞争优势。 参考文献 １ Ｇｅｉｍ Ａ Ｋ，Ｎｏｖｏｓｅｌｏｖ Ｋ Ｓ．Ｔｈｅ ｒｉｓｅ ｏｆ ｇｒａｐｈｅｎｅ［Ｊ］．Ｎａｔ Ｍａｔｅｒ，２００７，６（３）：１８３ ２ Ｂａｒｔｈ Ａ，Ｍａｒｘ Ｗ．Ｇｒａｐｈｅｎｅ－－Ａ ｒｉｓｉｎｇ ｓｔａｒ ｉｎ ｖｉｅｗ ｏｆ ｓｃｉｅｎ－ ｔｏｍｅｔｒｉｃｓ［Ｊ／ＯＬ］．ｈｔｔｐ：／／ａｒＸｉｖ：０８０８．３３２０ｖ３，２００８ ３ Ｅｔｘｅｂａｒｒｉａ Ｇ，Ｇｏｍｅｚ Ｕ Ｍ，Ｂａｒｒｕｔｉａ Ｊ．Ｔｅｎｄｅｎｃｉｅｓ ｉｎ ｓｃｉｅｎ— ３结语 ｔｉｆｉｃ ｏｕｔｐｕｔ ｏｎ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ ａｎｄ ｇｒａｐｈｅｍｅ ｉｎ ｇｌｏｂａｌ ｃｅｎ— 通过分析全球和主要国家申请的石墨烯技术相关专利 ｔｅｒｓ ｏｆ ｅｘｃｅｌｌｅｎｃｅ ｆｏｒ ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＥＪ］．Ｓｃｉｅｎｔｏｍｅｔｒｉｃｓ， ・ １１２ ・ ２Ｏｌ２，９１（１）：２５３ 材料导报Ａ：综述篇 ２０１３年８月（上）第２７卷第８期 情报开发与经济，２００７，１７（４）：１０７ １３ Ｃａｔａｌｉｎａ Ｍａｒｔｉｎｅｚ．Ｐａｔｅｎｔ ｆａｍｉｌｉｅｓ：Ｗｈｅｎ ｄｏ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｄｅｆｉ— ４ Ａｌｉｅｎ Ｍ Ｊ，Ｔｕｎｇ Ｖ Ｃ，Ｋａｎｅｒ Ｒ Ｂ．Ｈｏｎｅｙｃｏｍｂ ｃａｒｂｏｎ：ａ ｒｅ－ ｖｉｅｗ ｏｆ ｇｒａｐｈｅｎｅｍＪ］．ＣｈｅｍＲｅｖ，２０１０，１１０（１）：１３２ ５ Ｇｅｉｍ Ａ Ｋ．Ｇｒａｐｈｅｎｅ：Ｓｔａｔｕｓ ａｎｄ ｐｒｏｓｐｅｃｔｓ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ， ２００９，３２４：１５３０ ｎｉｔｉｏｎｓ ｒｅａｌｌｙ ｍａｔｔｅｒ．９［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｔｏｍｅｔｒｉｅｓ，２０１１，８６：３９ １４ Ｂｒｅｉｔｚｍａｎ Ａ，Ｍｏｇｅｅ Ｍ．Ｔｈｅ ｍａｎｙ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ ｐａｔｅｎｔ ａｎａｌｙｓｉｓ［Ｊ］．Ｊ Ｉｎｆｏｒｍ Ｓｃｉ，２００２，２８（３）：１８７ １５ Ｓｃｉｅｎｃｅ．Ｂｒｅａｋｔｈｒｏｕｇｈ ｏｆ ｔｈｅ ｙｅａｒ：Ｔｈｅ ｒｕｎｎｅｒｓ—ｕｐ ＥＪ］． Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００９，３２６（５９６０）：１６００ ６ Ｋｉｍ Ｊ，Ｋｉｍ Ｆ，Ｈｕａｎｇ Ｊ．Ｓｅｅｉｎｇ ｇｒａｐｈｅｎｅ－ｂａｓｅｄ ｓｈｅｅｔｓ［－Ｊ］． Ｍａｔｅｒ Ｔｏｄａｙ，２０１０，１３（３）：２８ ７马廷灿，万勇，冯瑞华．石墨烯专利技术国际发展态势分析 ［Ｊ］．科学观察，２０１２，７（３）：２５ ８王丽，潘云涛．石墨烯的研究前沿及中国发展态势分析 １６李山．石墨烯和人脑工程人选欧盟旗舰技术项目［Ｎ］．科技 日报，２０１３一Ｏｌ一３０（００２） １７方曙，胡正银，庞弘粲，等．基于专利文献的技术演化分析方 ＥＪ］．新型炭材料，２０１０，２５（６）：４０１ ９ Ｌｕ Ｐｅｎｇｈｕｉ，Ｗａｎｇ Ｇｕｉｆａｎｇ，Ｗａｎ Ｙｏｎｇ，ｅｔ ａ１．Ｂｉｂｌｉｏｍｅｔｒｉｃ 法研究［Ｊ］．图书情报工作，２０１１（２２）：４２ １８任文才，高力波，马来鹏，等．石墨烯的化学气相沉积法制备 ［Ｊ］．新型炭材料，２０１１（１）：７１ １９李兴鳌，王博琳，刘忠儒．石墨烯的制备、表征与特性研究进 展口］．材料导报：综述篇，２０１２，２６（１）：６１ ｔｒｅｎｄ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｎ ｇｌｏｂａｌ ｇｒａｐｈｅｎｅ ｒｅｓｅａｒｃｈ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｔｏｍｅｔ— ｒｉｃｓ，２０１１，８８（２）：３９９ １０ Ｎｏｏｒｄｅｎ Ｒ Ｖ．Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ：Ｔｈｅ ｔｒｉａｌｓ ｏｆ ｎｅｗ ｃａｒｂｏｎ［Ｊ］．Ｎａ— ｔｕｒｅ，２０１１，４６９（７３２８）：１４ ２Ｏ杨博．石墨烯产业化步伐悄然加快［Ｎ］．中国证券报，２０１３一 Ｏ３一Ｏ８（ＡＯ７） １１陈燕，黄迎燕，方建国．专利信息采集与分析［Ｍ］．北京： 清华大学出版社，２００７ （责任编辑） 周媛媛） ｌ２程兴华．专利情报分析在企业研发中的应用研究ＥＳ］．科技 （上接第１０２页） ２１ Ｙｕ Ｂａｉ，Ｋｙｏｕｎｇ－Ａ Ｋｉｍ，Ｉ１ ＳＯｎｇ Ｐａｒｋ，ｅｔ ａ１．Ｉｎ ｓｉｔｕ ｃｏｒｎ— ｐｏｓｉｔｅ ｃｏａｔｉｎｇ ｏｆ ｔｉｔａｎｉａ－ｈｙｄｒｏｘｙａｐａｔｉｔｅ ｏｎ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｓｕｂ— ２７周慧，刘正堂，李争显，等．钛合金表面微弧氧化膜及抗氧化 性能的研究［Ｊ］．稀有金属材料与工程，２００５，３４（１１）：１８３５ ２８刘忠德，孙茂坚，向正群，等．脉冲频率对钛合金微弧氧化膜 的影，Ｎ［－Ｊ－１．机械工程材料，２００９，３３（３）：４３ ２９李翠玲，欧阳贵．６０６３铝材微弧氧化最佳电流密度和槽液温 ｓｔｒａｔｅ ｂｙ ｍｉｃｒｏ－ａｒｅ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｃｏｕｐｌｅｄ ｗｉｔｈ ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒ ｃｉＳ Ｅｎｇ Ｂ，２０１１，１７６（１５）： １２１３ 度的探讨［Ｊ］．材料导报：研究篇，２０１０，４３（４）：１０８ ３Ｏ孙志华，国大鹏，刘明，等．工艺参数对２Ａ１２铝合金微弧氧 化陶瓷层生长的影响［Ｊ］．航空材料学报，２００９，２９（６）：５９ ３１潘明强，韦东波，迟关心．恒流微弧氧化工艺参数对膜层表 ２２龙北玉，吴汉华，龙北红，等．电解液对铝合金微弧氧化陶瓷 膜相组成和元素成分的影响［Ｊ］．吉林大学学报，２００５，４３ （１）：６８ ２３赵晖，朱其柱，金光，等．硅酸钠对ＴＣ４钛合金微弧氧化电极 参数及陶瓷膜的影响Ｉ－ｊ］．材料保护，２０１１，４４（２）：１４ ２４屠振密，李宁，朱永明．钛及钛合金表面处理技术和应用 面粗糙度的影ｌＩＮＥＪ］．材料保护，２００９，４２（７）：２９ ３２刘忠德，向正群，张中元，等．电流密度对钛合金微弧氧化膜 的影响Ｉ－Ｊ］．轻金属，２００８（１）：４８ ３３朱瑞富，王志刚，王宏元，等．氧化时间对纯钛表面微弧氧化 ［Ｍ］．北京：国防出版社，２０１０：１３３ ２５王淑艳，夏永平，陆正萍，等．电解液组分对ＡＺ９１Ｄ镁合金 膜结构特性的影响［Ｊ］．硅酸盐学报，２０１１，３９（１１）：１８２５ ３４ Ｃｈｅｎｇ Ｓｕ，Ｗｅｉ Ｄａｑｉｎｇ，Ｚｈｏｕ Ｙｕ．Ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｔｉｍｅ ｏｎ ｔｈｅ ｍｉｃｒｏ—－ａｒｃ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｄｉｏｘｉｄｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｃｏａｔｉｎｇ ｃｏｎ—－ 微弧氧化膜层耐蚀性的影响［Ｊ］．中国表面工程，２０１１，２４ （５）：３８ ２６礼洁冰，赵晖，王晓辉，等．电参数对ＴＣＡ钛合金微弧氧化陶 ｔａｉｎｉｎｇ Ｓｉ，Ｃａ ａｎｄ ＮａＥＪ］．Ｐｒｏｃｅｄｉａ Ｅｎｇ，２０１２，２７：７１３ 瓷膜的影响［Ｊ］．沈阳理工大学学报，２０１１，３０（３）：５９ （责任编辑林芳）
