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专利名称：半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装专利类型：发明专利
发明人：白光善,罗钟浩,韩大燮,黄净铉申请号：CN201780004004.9申请日：20171102公开号：CN109417110A公开日：20190301
摘要：在此公开一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、被布置在衬底上的第一导电型半导体层、被布置在第一导电型半导体层上的有源层以及被布置在有源层上的第二导电型半导体层。第一导电型半导体层包括具有不同的铟(In)组成比的第一层、第二层和第三层。第一半导体层被布置为靠近有源层。第二半导体层被布置在第一半导体层下面。第三半导体层被布置在第二半导体层下面。In含量从有源层到第三半导体层减少，并且第三半导体层的In含量可以是有源层的In含量的5％或以上至10％或以下。
申请人：LG 伊诺特有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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