专利名称：激光切割的方法和装置专利类型：发明专利发明人：R·姆利甘,S·沙龙申请号：CN200480036050.X申请日：20041201公开号：CN10796A公开日：20070103
摘要：一种装置和方法，通过在存在阴离子等离子体的情况下激光烧蚀微电子器件晶片的至少互连层部分来分开微电子器件晶片，其中阴离子等离子体与激光烧蚀所产生的残渣反应以形成反应气体。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：张政权
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