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专利名称：氧化膜做阻挡层的硅接触孔刻蚀方法专利类型：发明专利
发明人：冯大贵,薛江鹏,詹智健申请号：CN200910201678.5申请日：20091015公开号：CN102044486A公开日：20110504
摘要：本发明公开了氧化膜做阻挡层的硅接触孔刻蚀方法。首先利用现有的氧化膜做阻挡层的硅接触孔刻蚀方法形成氧化膜窗口一、氧化膜窗口二、接触孔一和接触孔二。再利用湿法刻蚀工艺对氧化膜进行第三次刻蚀，形成一具有侧面倾斜的氧化膜窗口三。最后利用各向同性且具有硅对氧化膜高选择比的干法刻蚀工艺对所述硅层进行第三次刻蚀，形成一侧面倾斜底部圆滑的所述硅接触孔。本发明能够实现所述硅接触孔的侧面倾斜角小于80度以及其底面圆滑，有利于金属铝在所述硅接触孔内填充。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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