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专利名称：金属层间介电结构专利类型：发明专利发明人：赖经纶,王锡伟申请号：CN021276.3申请日：20020806公开号：CN1474438A公开日：20040211
摘要：一种金属层间介电结构，是形成于一半导体基底表面上。半导体基底表面上包括有：复数个金属层，一金属层间介电层，覆盖金属层以及半导体基底的表面至一预定高度，以及一具有高压缩应力的氧化物盖层，覆盖金属层间介电层的表面。其中，金属层间介电层以及氧化物盖层的压缩应力的总值需接近于金属层的伸张应力，以防止金属层以及介电层的应力相差过大而造成裂缝现象。本发明使用高密度电浆－源射频(HDP－SRF)方法形成氧化物盖层，可大幅提高氧化物盖层的压缩应力，以解决常见的裂缝缺陷以及气泡问题，另，可使氧化物盖层内部具有更多的悬浮键(danglingbond)，足以截留扩散的氟离子。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：省新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：李强
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