NAND Flash 在嵌入式系统中的地位与PC机上的硬盘是类似的。用于保存系统运行所必需的操作系统，应用程序，用户数据，运行过程中产生的各类数据，系统掉电后数据不会护丢失。现在的Flash主要有两咱，一种是NAND Flash 一种是Nor Flash。NOR Flash是由Intel公司于1988年发明的，用以代替EERPOM，NAND Flash由Toshiba 公司在19年发明的。
网上有很多介绍两者区别的文章，在此就不做介绍了，主要介绍关于NAND Flash的组织结构和编写程序的方法。
NAND Flash的寻址方式和NAND Flash的memory组织方式紧密相关。NAND Flash的数据是以bit的方式保存在 memory cell（存储单元）。一般情况下，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成 bit line ,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Flash的位宽。
这些Line会再组成Pape（页）。然后是每32个page形成一个Block，所以一个Block（块）大小是16k.Block是NAND Flash中最大的操作单元，其中的擦除操作是以Block为单位进行擦除的，而读写和编程是以page为单位进行操作的，并且读写之前必须进行flash的擦写。我们这里以三星K9F1208U0M的NAND Flash为例，它的大小是MB的。
1block = 32page
1page = 512bytes(datafield) + 16bytes(oob)
K9F1208U0B总共有4096 个Blocks，故我们可以知道这块flash的容量为4096 *(32 *528)= 69206016 Bytes = 66 MB（故用烧录器将其内容全部读出，可保存为大小为67584kB的BIN文件，科系的代理商竟然说我的文件太大，故烧录时造成部分失败。。。。。，有理说不清了都！）
但事实上每个Page上的最后16Bytes是用于存贮检验码用的，并不能存放实际的数据，所以实际上我们可以操作的芯片容量为
4096 *(32 *512) = 671088 Bytes = MB
存储操作特点：
1.擦除操作的最小单位是块
2.Nand Flash芯片每一位只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前一定要将相应块擦除（擦除就是将相应块的位全部变为1
3 OOB部分的第六字节（即517字节）标志是否坏块，如果不是坏块该值为FF，否则为坏块
4 除OOB第六字节外，通常至少把OOB前3字节存放Nand Flash硬件ECC码
Columnaddr = addr % 512 // column address
Pageaddr = addr>>9 // page address
现在假设我要从Nand Flash中的第5000字节处开始读取1024个字节到内存的0x30000000处，我们这样调用read函数
NF_Read(5000, 0x30000000,1024);
我们来分析5000这个src_addr.
根据
column_addr=src_addr%512;
page_address=(src_addr>>9);
我们可得出column_addr=5000%512=392
page_address=(5000>>9)=9
column_addr=5000%512;
page_address=(5000>>9);
NF_CMD=0x01; //要从2nd half开始读取 所以要发送命令0x01
NF_ADDR= column_addr &0xff; //1st Cycle A[7:0]
NF_ADDR=page_address& 0xff
NF_ADDR=(page_address>>8)&0xff; //3rd.Cycle A[24:17]
NF_ADDR=(page_address>>16)&0xff; //4th.Cycle A[25]
我用下面的代码进行数据的读取.
for(i=column_addr;i<512;i++)
{
*buf++=NF_RDDATA();
}
每当读取完一个Page之后,数据指针会落在下一个Page的0号Column(0号Byte).
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